比亚迪汉EV。
去了三次店里才试驾成功，周末试驾汉的人太多了，等了一个小时还没轮到，只能工作日去试驾。
试驾的是3.9S的版本，搭配马牌MC6轮胎。
底盘滤震是我喜欢的类型，舒适趋向，不算硬和颠，转向手感很好，不知道是MC6的抓地力好还是本身转向手感的调教，让我感觉到轮胎摩擦地面有点热融的回馈，指向型很好，可以说指哪车就往哪走。
话说有座椅通风真的太舒服了，后背起码有风不用闷着背。
动力不用我说了，动力太好了，第一次开494马力的车，随便深踩了电门就能加速到限速80了，不过还是那种偏迟滞的油门响应，不是那种立马响应的调教。
整体隔音还不错，除了胎噪，基本没有其他声音了，这台车我还是很满意的、很喜欢的。

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西数日前发布了新一代UFS 3.1闪存——iNAND MC EU551系列，主要针对最新的5G手机，最大容量512GB，写入速度可达1550MB/s。IDC预计2021年5G手机将占全球出货量的40%，2025年进一步提升到69%的比例，随着网络速度的提升，5G手机对存储容量、性能的要求也会提高，特别是VR/AR、游戏及8K视频等应用的普及。

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西数发布新一代UFS 3.1闪存：最大512GB、写入1.55GB/s

西数日前发布了新一代UFS 3.1闪存——iNAND MC EU551系列，主要针对最新的5G手机，最大容量512GB，写入速度可达1550MB/s。IDC预计2021年5G手机将占全球出货量的40%，2025年进一步提升到69%的比例，随着网络速度的提升，5G手机对存储容量、性能的要求也会提高，特别是VR/AR、游戏及8K视频等应用的普及。

西数推出的iNAND MC EU551是他们的第二代UFS 3.1闪存，采用了最新的闪存，专为5G旗舰手机、平板设计，支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee，支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0，写入速度可达1550MB/s，性能与桌面NVMe硬盘有得一拼了。

容量方面，iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三种，预计今年7月份开始上市，下半年的5G旗舰有望搭载，不过售价没公布。