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不再需要EUV光刻机！ 国内首条光子芯片产线将落地！
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光刻机一直限制着国产芯片的发展，为了突破限制，国家正在大力推进光子芯片，其原理跟硅芯片不同，运算速度可提升1000倍以上，而且不依赖先进的光刻机，比如EUV光刻机，因此是各国争相发展的新一代信息科技。
近日有消息称，国内首条"多材料、跨尺寸"的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
我们在芯片领域有两条线可以打破芯片对高端光刻机的依赖，其一是碳基芯片，其二便是光子芯片。光子芯片产线将是有效打破芯片对高端光刻机依赖局面的具体实现。
据悉，光子芯片是光电子器件的核心组成部分，与集成电路芯片相比存在多处不同。例如：从性能而言，光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍，且功耗更低。
从材料而言，InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料，而集成电路一般采用硅片。从制备而言，光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性，但侧重点在于外延设计与制备环节，而非光刻环节。
在性能方面，光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍，且功耗更低。光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性，但侧重点在于外延设计与制备环节，而非光刻环节。民生证券指出，这也决定了光子芯片行业中，IDM模式是主流，有别于标准化程度高、行业分工明确的集成电路芯片。
相较于电子芯片，光子芯片对结构的要求较低，一般是百纳米级，因此降低了对先进工艺的依赖。这就意味着，我国目前14纳米级的生产技术完全可以满足光子芯片的生产需求。
中国是全球最大的芯片消费市场，而且中国拥有最完善的产业链。一旦在光子芯片领域的商用市场被打开，中国企业势必会成为该领域的主要力量。
光子芯片发展的决定力量是市场，只有旺盛的市场需求，才能为光子芯片带来巨大技术研发资金。而海量的投资，则是光子芯片技术发展的保障。

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【钠离子电池负极材料的主要厂商】
1）目前钠离子电池负极材料可选用的材料主要有四类：碳基材料、过度金属化合物、合金类负极和有机化合物，其中金属化合物主要通过转化反应和合金化反应实现储钠，但在循环过程中会伴随着较大的体积膨胀，造成电极材料的粉碎和坍塌，存在一定安全隐患；过度金属化合物比容量偏低，而有机材料也存在库伦效率低等问题
2）负极材料布局方面，中科海钠以无烟煤作为前驱体制备软碳材料，宁德时代开发出了具有独特孔隙结构的硬碳材料，贝特瑞目前能量产硬碳、软碳材料；璞泰来、翔丰华目前正在推进中试工作。日本方面，吴羽已经能够量产硬碳材料，日本三菱及日本松下同样从事钠电池负极材料的研发和生产工作。