国军标GJB 151B-2013军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量（海军10项）
国军标GJB151B-2013（目前是2013版本），军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量标准，参考国外军标（主要是美国军标MIL）对老标准作了修订。《GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量》作为国家军用标准，于2013年7月10日发布，并于2013年10月1日开始实施，并替代了GJB 151A、GJB 152A。
GJB 151B 引用标准
GB/T 6113.101 无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量方法规范 第 1-1 部分:无线电骚扰和抗扰度测量设备 测量设备
GJB 5313 电磁辐射暴露限值和测量方法
GJB 72A-2002 电磁干扰和电磁兼容性术语
GJB/J 5410 电磁兼容性测量天线的天线系数校准规范
GB/T 17626.2 电磁兼容 试验和测量技术 静电放抗扰度试验
GJB 151B适用条件
GJB 151B里面的全部EMC试验并非全部都是必需要做的，依据军工安装平台不同，例如水面舰船、潜艇、陆军飞机(含航线保障设备)、海军飞机、空军飞机、空间系统(含运载火箭)、陆军地面、海军地面、空军地面等类别，对每个类别试验项目对每种平台的适用性标准里面都有相应的条款规定。（以下为海军10项要求）
CE101：25Hz～10kHz电源线传导发射
测试方法：参照GJB 151B-2013的方法CE101；
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～10kHz；
检测仪器：EMI接收机、电流探头、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。测试系统按基本测试配置。测试框图如下图所示（以下图中EUT为被测设备）；
校准：测试系统通电预热稳定后，在LISN（线路阻抗稳定网络）电源输出端施加GJB 151B-2013要求的校准信号，检查测试系统的测量误差在GJB 151B-2013一般要求4.3.2条允许的容差范围内；
测试要求：按照GJB 151B-2013中CE101-2限值要求进行测试；
合格判据：测试结果符合GJB 151B-2013中图9的限值要求。
CE101测试框图
CE102：10kHz～10MHz电源线传导
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～10MHz；
检测仪器：EMI接收机、同轴固定衰减器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。测试系统按基本测试配置测试框图如下；
校准：测试系统通电预热稳定后，在LISN（线路阻抗稳定网络）电源输出端施加GJB 151B-2013要求的校准信号，检查测试系统的测量误差在GJB 151B-2013一般要求4.1条允许的容差范围内；
测试要求：按照GJB 151B-2013中CE102－1限值要求测试；
合格判据：测试结果符合GJB151B-2013中图14的限值要求。
CE102测试框图
CS101：25Hz～150kHz电源线传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～150kHz；
检测仪器：音频发大器、信号源、存储示波器、10uf电容器、耦合变压器、隔离变压器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电，测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013规定的校准方法，调整信号源输出电平，直到试验信号相当GJB 151B-2013中规定的最大要求的功率为止，检查输出波形是否为正弦波。
测试要求：电源线传导敏感度AC 220V/50Hz及幅压直流电网用电设备电压限值及功率要求均加严4dB；AC 380/50Hz用电设备电压限值加严6dB，功率限值加严4dB。因EUT是交流工作，因此试验的频率从电源频率的二次谐波开始至150kHz，参照GJB 151B-2013中CS101－1曲线1限值要求。
CS101测试框图
CS106：电源线尖峰信号传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
检测要求：脉冲幅度E：400V，脉冲宽度t值：5us±20%，重复频率：3Hz～10Hz；
检测仪器：尖峰信号发生器、穿心电容器、示波器、电源线阻抗稳定网络；
测试配置：按照GJB151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，采用正常供电。测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：在5Ω校准电阻上校准尖峰信号波形和幅度，应符合极限值要求。
测试步骤：将尖峰信号注入到试件电源线上，其幅度应符合规定的极限值要求，调节尖峰信号的同步和触发，使尖峰信号处于对试件将产生最大影响的状态。将正的、负的、单个的以及重复的（5Hz～10Hz）尖峰信号分别加到试件不接地的电源输入线端，每次持续时间不小于5min。
CS06测试框图
CS114：10kHz～400MHz电缆束注入传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～400MHz；
检测仪器：测量接收机、信号发生器、注入探头、检测探头、功率放大器、定向耦合器、功率计、功率探头、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013方法校准试验信号。调整信号源输出电平，直到试验信号达到GJB 151B-2013中规定的极限电平值为止。
测试要求：限制取校准装置上的77dBµA，或实际感应的83dBµA，取两者中的较小者，按照GJB 151B-2013中CS114－1曲线2限值要求。
CS114测试框图
CS116：10kHz～100MHz电缆和电源线阻尼正弦瞬变传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz，100kHz，1MHz，10MHz，30MHz，100Mz；
检测仪器：脉冲发生器、注入探头、监测探头、记忆示波器、线性阻抗稳定网络；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电，测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013方法校准试验信号，满足GJB 151B-2013 CS116规定的信号波形（见GJB 151B-2013中图CS116－2）和最大电流（见GJB 151B-2013中图CS116－2，取最大电流Imax＝10A）。
测试要求：按照GJB 151B-2013中CS116－2 I＝10A要求。
CS116测试框图
RE101：25Hz～100kHz磁场辐射发射
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～100kHz；
检测仪器：EMI接收机、低频磁场天线、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。
试验按GJB 151B-2013规定的试验方法进行。在7cm距离上测试，并使其平行于EUT表面或电连接器的轴线。
测试要求：按照GJB 151B-2013中RE101－1限值要求。
合格判据：测试结果符合GJB 151B-2013中图52的限值要求。
RE101测试框图
RE102：10kHz－18GHz电场辐射发射
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～18GHz；
检测仪器：EMI接收机、棒天线、双锥天线、双脊喇叭天线、喇叭天线、前置放大器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。
校准：测试系统通电预热稳定后，检查从接收天线到测试接收机的整个测试系统的测量误差在GJB 151B-2013一般要求4.3.2条允许的容差范围内。
测试要求：垂直和水平极化分别进行测量
垂直极化：10kHz－18GHz
水平极化：30MHz－18GHz
按照GJB 151B-2013中RE102－1限值要求。
合格判据：测试结果符合GJB 151B-2013中图55甲板下的限值要求。
RE102测试框图
RS101：25Hz～100kHz磁场辐射敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～100kHz；
检测仪器：EMI接收机、音频功率放大器、磁场辐射线圈、电流探头、信号发生器、音频耦合变压器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013方法校准试验信号。调整信号源输出电平，直到试验信号达到GJB 151B-2013中规定的极限电平值为止。
RS101测试框图
RS103：10kHz～18GHz电场辐射敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～18GHz；
检测仪器：信号发生器、功率放大器、定向耦合器、电场发生器、双锥对数周期天线、喇叭天线、功率计、功率探头、场强计、场强探头、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
试验配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电，测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013中RS103方法从发射天线到测试接收机的整个测试系统进行校准，校准试验信号电平满足表6.1极限场强要求。
RS103测试框图
如您有EMC方面的问题可以加我微信
国军标GJB151B-2013（目前是2013版本），军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量标准，参考国外军标（主要是美国军标MIL）对老标准作了修订。《GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量》作为国家军用标准，于2013年7月10日发布，并于2013年10月1日开始实施，并替代了GJB 151A、GJB 152A。
GJB 151B 引用标准
GB/T 6113.101 无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量方法规范 第 1-1 部分:无线电骚扰和抗扰度测量设备 测量设备
GJB 5313 电磁辐射暴露限值和测量方法
GJB 72A-2002 电磁干扰和电磁兼容性术语
GJB/J 5410 电磁兼容性测量天线的天线系数校准规范
GB/T 17626.2 电磁兼容 试验和测量技术 静电放抗扰度试验
GJB 151B适用条件
GJB 151B里面的全部EMC试验并非全部都是必需要做的，依据军工安装平台不同，例如水面舰船、潜艇、陆军飞机(含航线保障设备)、海军飞机、空军飞机、空间系统(含运载火箭)、陆军地面、海军地面、空军地面等类别，对每个类别试验项目对每种平台的适用性标准里面都有相应的条款规定。（以下为海军10项要求）
CE101：25Hz～10kHz电源线传导发射
测试方法：参照GJB 151B-2013的方法CE101；
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～10kHz；
检测仪器：EMI接收机、电流探头、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。测试系统按基本测试配置。测试框图如下图所示（以下图中EUT为被测设备）；
校准：测试系统通电预热稳定后，在LISN（线路阻抗稳定网络）电源输出端施加GJB 151B-2013要求的校准信号，检查测试系统的测量误差在GJB 151B-2013一般要求4.3.2条允许的容差范围内；
测试要求：按照GJB 151B-2013中CE101-2限值要求进行测试；
合格判据：测试结果符合GJB 151B-2013中图9的限值要求。
CE101测试框图
CE102：10kHz～10MHz电源线传导
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～10MHz；
检测仪器：EMI接收机、同轴固定衰减器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。测试系统按基本测试配置测试框图如下；
校准：测试系统通电预热稳定后，在LISN（线路阻抗稳定网络）电源输出端施加GJB 151B-2013要求的校准信号，检查测试系统的测量误差在GJB 151B-2013一般要求4.1条允许的容差范围内；
测试要求：按照GJB 151B-2013中CE102－1限值要求测试；
合格判据：测试结果符合GJB151B-2013中图14的限值要求。
CE102测试框图
CS101：25Hz～150kHz电源线传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～150kHz；
检测仪器：音频发大器、信号源、存储示波器、10uf电容器、耦合变压器、隔离变压器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电，测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013规定的校准方法，调整信号源输出电平，直到试验信号相当GJB 151B-2013中规定的最大要求的功率为止，检查输出波形是否为正弦波。
测试要求：电源线传导敏感度AC 220V/50Hz及幅压直流电网用电设备电压限值及功率要求均加严4dB；AC 380/50Hz用电设备电压限值加严6dB，功率限值加严4dB。因EUT是交流工作，因此试验的频率从电源频率的二次谐波开始至150kHz，参照GJB 151B-2013中CS101－1曲线1限值要求。
CS101测试框图
CS106：电源线尖峰信号传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
检测要求：脉冲幅度E：400V，脉冲宽度t值：5us±20%，重复频率：3Hz～10Hz；
检测仪器：尖峰信号发生器、穿心电容器、示波器、电源线阻抗稳定网络；
测试配置：按照GJB151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，采用正常供电。测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：在5Ω校准电阻上校准尖峰信号波形和幅度，应符合极限值要求。
测试步骤：将尖峰信号注入到试件电源线上，其幅度应符合规定的极限值要求，调节尖峰信号的同步和触发，使尖峰信号处于对试件将产生最大影响的状态。将正的、负的、单个的以及重复的（5Hz～10Hz）尖峰信号分别加到试件不接地的电源输入线端，每次持续时间不小于5min。
CS06测试框图
CS114：10kHz～400MHz电缆束注入传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～400MHz；
检测仪器：测量接收机、信号发生器、注入探头、检测探头、功率放大器、定向耦合器、功率计、功率探头、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013方法校准试验信号。调整信号源输出电平，直到试验信号达到GJB 151B-2013中规定的极限电平值为止。
测试要求：限制取校准装置上的77dBµA，或实际感应的83dBµA，取两者中的较小者，按照GJB 151B-2013中CS114－1曲线2限值要求。
CS114测试框图
CS116：10kHz～100MHz电缆和电源线阻尼正弦瞬变传导敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz，100kHz，1MHz，10MHz，30MHz，100Mz；
检测仪器：脉冲发生器、注入探头、监测探头、记忆示波器、线性阻抗稳定网络；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电，测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013方法校准试验信号，满足GJB 151B-2013 CS116规定的信号波形（见GJB 151B-2013中图CS116－2）和最大电流（见GJB 151B-2013中图CS116－2，取最大电流Imax＝10A）。
测试要求：按照GJB 151B-2013中CS116－2 I＝10A要求。
CS116测试框图
RE101：25Hz～100kHz磁场辐射发射
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～100kHz；
检测仪器：EMI接收机、低频磁场天线、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。
试验按GJB 151B-2013规定的试验方法进行。在7cm距离上测试，并使其平行于EUT表面或电连接器的轴线。
测试要求：按照GJB 151B-2013中RE101－1限值要求。
合格判据：测试结果符合GJB 151B-2013中图52的限值要求。
RE101测试框图
RE102：10kHz－18GHz电场辐射发射
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～18GHz；
检测仪器：EMI接收机、棒天线、双锥天线、双脊喇叭天线、喇叭天线、前置放大器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用正常供电。
校准：测试系统通电预热稳定后，检查从接收天线到测试接收机的整个测试系统的测量误差在GJB 151B-2013一般要求4.3.2条允许的容差范围内。
测试要求：垂直和水平极化分别进行测量
垂直极化：10kHz－18GHz
水平极化：30MHz－18GHz
按照GJB 151B-2013中RE102－1限值要求。
合格判据：测试结果符合GJB 151B-2013中图55甲板下的限值要求。
RE102测试框图
RS101：25Hz～100kHz磁场辐射敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：25Hz～100kHz；
检测仪器：EMI接收机、音频功率放大器、磁场辐射线圈、电流探头、信号发生器、音频耦合变压器、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
测试配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013方法校准试验信号。调整信号源输出电平，直到试验信号达到GJB 151B-2013中规定的极限电平值为止。
RS101测试框图
RS103：10kHz～18GHz电场辐射敏感度
测试状态：设备处于正常工作状态；
测量频段：10kHz～18GHz；
检测仪器：信号发生器、功率放大器、定向耦合器、电场发生器、双锥对数周期天线、喇叭天线、功率计、功率探头、场强计、场强探头、线性阻抗稳定网络、电磁兼容开发平台软件；
试验配置：按照GJB 151B-2013要求，保持样机处于正常工作状态，样机采用交流供电，测试系统按基本测试配置测试框图如下。
校准：测试系统通电预热稳定后，按照GJB 151B-2013中RS103方法从发射天线到测试接收机的整个测试系统进行校准，校准试验信号电平满足表6.1极限场强要求。
RS103测试框图
如您有EMC方面的问题可以加我微信
#stars星舰[超话]#INUS团队无论是技术能力、创新能力、执行能力、背景资料、社区经验、整合思维等，都是虚拟货币圈里的第一梯队，团队的成员都有着辉煌的履历，都是币圈显赫和极具威望的人物，在天时地利都已经完备的大环境下，就差“人和”，而“人和”指的是我和你所构建成的社区生态，所以，加入INUS吧，你的到来会让INUS的“人和”更快到来。一切完善后，就是剑指成功的时刻。
realme GT Neo3详细解析来啦。
1999起，天玑8100，4100mm2超大VC均热板，150W超级快充，imx766+ois，COP封装极窄下巴屏幕，AG玻璃，赛道设计，LPDDR5+UFS3.1，线性马达+双扬声器，独立显示芯片……
大家觉得这个能不能把友商刚刚焊上的门射爆？
闲话少叙，言归正传。
realme 2019年中回归国内，至今即将满三年，在过去一年里，realme终于找到了自己的节奏，国内市场年出货量破千万，正式成为主流品牌。
realme国内的发展不算顺利，兜兜转转，在去年才真正找到自己的节奏，主攻线上市场，开始进行资源聚焦和产品线调整，GT Neo成为realme的一个核心产品线。
GT Neo一代的主打卖点是行业首批骁龙天玑1200量产+轻薄机身设计，GT neo2则转向了堆料路线，整体的性能、散热和电池容量都在提升，整机的重量也来到了200g。
而GT Neo3，则是走了一个更加成熟的路线，主打游戏体验的同时，整机的厚度降到了8.14mm，重量降到了188g：
在2000+的价位市场，线上主力产品里，这个厚度和重量控制我觉得是不错的，算是轻薄路线了。
然而，在天玑8100和4129mm² VC均热板以及39606mm²（大约是GT Neo2的两倍）的散热面积加持下，整机的游戏表现极其出色。
原神最高画质，60fps模式，约20℃室温环境下，半小时，平均帧率59.1，机身最高温度44℃。
这个成绩要比我目前测试过的所有常规手机都要好，和某加入了主动散热风扇的游戏手机成绩相当。
测出这个成绩的时候，我个人是挺震撼的，要知道，这可是一台188g，8.14mm，轻薄向的手机的游戏表现。
在发布会之前，realme全球副总裁、中国区总裁徐起先生宣布，realme GT Neo系列正式升级为潮玩电竞系列，很多人看完发布会可能会觉得，这不就是一台常规的手机么？潮玩电竞在哪里？
我觉得这个游戏表现，足可以为它正名了。
游戏表现好的手机，就是电竞手机。
当然，整机厚度和重量下降之后，GT Neo3的电池容量回到了4500mAh，这个数值算是行业主流水平，但不算高。
续航这个事儿，一般都是电池容量+快充，realme用这个500mAh电池换了业界规格最高的150W长寿命快充方案。
长寿命很好理解，业界主流80%容量寿命是800次循环，而realme的方案则是1600次循环，电池寿命延长了一倍。
我们来看看实际的快充速度，插上电源，经过短时间的调整，功率迅速拉伸到130W以上。
5min充入47%，10min充满80%，此时快充功率依然维持在60W左右，直至90%电量之后，快充功率才开始逐步下降。
UI 100%满电时间15min，完全充满则需要17min。
用相对较小的电池容量+更快的快充速度来完成供电和补能，以换取更好的体积和厚度控制，我觉得这是更适合的方案。
以及，真我GT Neo3加入了专门的独立显示芯片，可以通过算法预估物体运动轨迹，在两帧之间插入一帧，进行运动补偿，以带来更顺畅的游戏体验，原神可以插帧至90fps，英雄联盟和王者荣耀则可以插帧至120fps，这点好评。
当然，有一点需要注意，这个独立显示芯片和我们传统理解的电脑显卡是不同的，它的意义相对会小很多，算是一个不错的甜点特性了。
全新的COP封装技术，正面屏幕下巴宽度控制非常出色，四面宽度基本保持一致，下巴宽度稍宽，但区别不大，这个是GT Neo一代上我最不喜欢的地方，全面屏手机一个非常重要的点就是正面观感，而下巴宽度控制则是明显的加分项。
数据上，屏幕侧边宽度1.48mm，顶部宽度1.84mm，底部宽度2.37mm，控制都非常出色。
屏幕全局最高激发亮度854nit，进入行业主流水平，而激发亮度不足是GT Neo上另一个为人诟病的点。
屏幕规格为6.7英寸，120Hz刷新率，360Hz采样率，1000Hz瞬时报点率，10bit色深，100% DCI-P3色域覆盖，整体的素质表现不错。
因为重量和厚度控制出色，加上AG磨砂玻璃的采用，真我GT Neo3的整体手感和质感不错。
方形相机模组，主摄位于最上方，imx766+ois，整体的体积较大，镜头部分有金属护圈，防止使用过程中被刮花，超广角和微距镜头位于下方，整体的模组风格和GT Neo2有些类似，镜头排布做了新的调整。
GT Neo3这次主打的是赛道条文设计，勒芒赛道、银石赛道，和GT Neo3的潮玩电竞旗舰相一致，我拿到的是经典黑色，我个人其实更喜欢一些，整体色彩更加带到内敛。
中框为哑光喷漆处理，和后盖颜色一致，磨砂质感的玻璃和哑光喷漆的中框之间过度自然，颜色一致，整体质感不错，当然，屏幕玻璃和中框之间的塑料支架宽度较宽，这是这个价位产品的通病了。
外观设计上，GT Neo3依然有一些典型的2000价位手机的特性，比如塑料中框，比如较厚的屏幕支架和保护层，这导致其整体的精致程度和旗舰机相比会差一些，但因为厚度和重量控制，整机的质感和手感则明显优于同平台友商的机子。
这台机子的另一个亮点是相机，imx766主摄+ois光学防抖，这应该是这个价位独一份的选择了，非常不错。
我们来看样张。
整体表现不算优秀，但这这个价位基本上是很好的了。
真我GT Neo3面向的用户群非常明确，预算相对有限，但又不愿意妥协实际需求，所以在这个价位上，各方面更全能的机子其实才是更好的选择。
尤其是相机素质上，随着移动影像这件事儿本身的进化，拍照已经成为了我们生活中不可分割的一部分，很多人认为摄影是艺术创作，这个其实是一种误解。
对于手机摄影来说，更多的是记录和分享，记录生活中的点点滴滴，分享给亲朋好友。各家旗舰机在相机上大发力，这是有其内核逻辑的，是消费需求驱动的能力发展，而非反之。
X轴线性马达，触控反馈清脆，手感不错，全新的光学指纹识别，整体的识别率和环境适应性表现不错。
立体声双扬声器，杜比全景深认证，支持多功能NFC。
小结
真我GT Neo系列是realme一台非常重要的机子，是realme中国市场的尖刀产品，也是realme不容有失的机子。
这个价位的机子本质看的其实是刀法，成本所限下，如何尽可能地保证更多的能力，以更好地满足消费者需求，从而赢得市场，这个是realme需要全面思考的问题。
在GT Neo一代主打轻薄设计和二代主打游戏体验之后，GT Neo3整体的选择更为中庸一些，不再追求单个点的过度突破，而是寻求整机更均衡实用的选择。
在GT Neo3上，我们很容易察觉到这种均衡的选择，比如在强大散热的同时，整机的厚度和重量控制出色，以均衡手感；作为电竞潮玩系列，主打游戏体验的同时，加上了imx766+ois的影像系统，以更好地满足用户日常需求；在加入了潮玩赛道设计之后，依然保留了经典的磨砂AG玻璃黑色；我追求极致的2K分辨率，而花大力气去控制下巴宽度，以带来更加的正面观感，等等。
我个人很喜欢这种均衡的艺术，手机的本身其实就是一个均衡的过程，一方面的极致必然会带来另一方面的妥协，便携性与大屏，性能与功耗，电池和厚度，游戏和影像等等。当所有的元素处于一个相对和谐的状态下的时候，这个选择，我觉得就是更合理的选择。
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1999起，天玑8100，4100mm2超大VC均热板，150W超级快充，imx766+ois，COP封装极窄下巴屏幕，AG玻璃，赛道设计，LPDDR5+UFS3.1，线性马达+双扬声器，独立显示芯片……
大家觉得这个能不能把友商刚刚焊上的门射爆？
闲话少叙，言归正传。
realme 2019年中回归国内，至今即将满三年，在过去一年里，realme终于找到了自己的节奏，国内市场年出货量破千万，正式成为主流品牌。
realme国内的发展不算顺利，兜兜转转，在去年才真正找到自己的节奏，主攻线上市场，开始进行资源聚焦和产品线调整，GT Neo成为realme的一个核心产品线。
GT Neo一代的主打卖点是行业首批骁龙天玑1200量产+轻薄机身设计，GT neo2则转向了堆料路线，整体的性能、散热和电池容量都在提升，整机的重量也来到了200g。
而GT Neo3，则是走了一个更加成熟的路线，主打游戏体验的同时，整机的厚度降到了8.14mm，重量降到了188g：
在2000+的价位市场，线上主力产品里，这个厚度和重量控制我觉得是不错的，算是轻薄路线了。
然而，在天玑8100和4129mm² VC均热板以及39606mm²（大约是GT Neo2的两倍）的散热面积加持下，整机的游戏表现极其出色。
原神最高画质，60fps模式，约20℃室温环境下，半小时，平均帧率59.1，机身最高温度44℃。
这个成绩要比我目前测试过的所有常规手机都要好，和某加入了主动散热风扇的游戏手机成绩相当。
测出这个成绩的时候，我个人是挺震撼的，要知道，这可是一台188g，8.14mm，轻薄向的手机的游戏表现。
在发布会之前，realme全球副总裁、中国区总裁徐起先生宣布，realme GT Neo系列正式升级为潮玩电竞系列，很多人看完发布会可能会觉得，这不就是一台常规的手机么？潮玩电竞在哪里？
我觉得这个游戏表现，足可以为它正名了。
游戏表现好的手机，就是电竞手机。
当然，整机厚度和重量下降之后，GT Neo3的电池容量回到了4500mAh，这个数值算是行业主流水平，但不算高。
续航这个事儿，一般都是电池容量+快充，realme用这个500mAh电池换了业界规格最高的150W长寿命快充方案。
长寿命很好理解，业界主流80%容量寿命是800次循环，而realme的方案则是1600次循环，电池寿命延长了一倍。
我们来看看实际的快充速度，插上电源，经过短时间的调整，功率迅速拉伸到130W以上。
5min充入47%，10min充满80%，此时快充功率依然维持在60W左右，直至90%电量之后，快充功率才开始逐步下降。
UI 100%满电时间15min，完全充满则需要17min。
用相对较小的电池容量+更快的快充速度来完成供电和补能，以换取更好的体积和厚度控制，我觉得这是更适合的方案。
以及，真我GT Neo3加入了专门的独立显示芯片，可以通过算法预估物体运动轨迹，在两帧之间插入一帧，进行运动补偿，以带来更顺畅的游戏体验，原神可以插帧至90fps，英雄联盟和王者荣耀则可以插帧至120fps，这点好评。
当然，有一点需要注意，这个独立显示芯片和我们传统理解的电脑显卡是不同的，它的意义相对会小很多，算是一个不错的甜点特性了。
全新的COP封装技术，正面屏幕下巴宽度控制非常出色，四面宽度基本保持一致，下巴宽度稍宽，但区别不大，这个是GT Neo一代上我最不喜欢的地方，全面屏手机一个非常重要的点就是正面观感，而下巴宽度控制则是明显的加分项。
数据上，屏幕侧边宽度1.48mm，顶部宽度1.84mm，底部宽度2.37mm，控制都非常出色。
屏幕全局最高激发亮度854nit，进入行业主流水平，而激发亮度不足是GT Neo上另一个为人诟病的点。
屏幕规格为6.7英寸，120Hz刷新率，360Hz采样率，1000Hz瞬时报点率，10bit色深，100% DCI-P3色域覆盖，整体的素质表现不错。
因为重量和厚度控制出色，加上AG磨砂玻璃的采用，真我GT Neo3的整体手感和质感不错。
方形相机模组，主摄位于最上方，imx766+ois，整体的体积较大，镜头部分有金属护圈，防止使用过程中被刮花，超广角和微距镜头位于下方，整体的模组风格和GT Neo2有些类似，镜头排布做了新的调整。
GT Neo3这次主打的是赛道条文设计，勒芒赛道、银石赛道，和GT Neo3的潮玩电竞旗舰相一致，我拿到的是经典黑色，我个人其实更喜欢一些，整体色彩更加带到内敛。
中框为哑光喷漆处理，和后盖颜色一致，磨砂质感的玻璃和哑光喷漆的中框之间过度自然，颜色一致，整体质感不错，当然，屏幕玻璃和中框之间的塑料支架宽度较宽，这是这个价位产品的通病了。
外观设计上，GT Neo3依然有一些典型的2000价位手机的特性，比如塑料中框，比如较厚的屏幕支架和保护层，这导致其整体的精致程度和旗舰机相比会差一些，但因为厚度和重量控制，整机的质感和手感则明显优于同平台友商的机子。
这台机子的另一个亮点是相机，imx766主摄+ois光学防抖，这应该是这个价位独一份的选择了，非常不错。
我们来看样张。
整体表现不算优秀，但这这个价位基本上是很好的了。
真我GT Neo3面向的用户群非常明确，预算相对有限，但又不愿意妥协实际需求，所以在这个价位上，各方面更全能的机子其实才是更好的选择。
尤其是相机素质上，随着移动影像这件事儿本身的进化，拍照已经成为了我们生活中不可分割的一部分，很多人认为摄影是艺术创作，这个其实是一种误解。
对于手机摄影来说，更多的是记录和分享，记录生活中的点点滴滴，分享给亲朋好友。各家旗舰机在相机上大发力，这是有其内核逻辑的，是消费需求驱动的能力发展，而非反之。
X轴线性马达，触控反馈清脆，手感不错，全新的光学指纹识别，整体的识别率和环境适应性表现不错。
立体声双扬声器，杜比全景深认证，支持多功能NFC。
小结
真我GT Neo系列是realme一台非常重要的机子，是realme中国市场的尖刀产品，也是realme不容有失的机子。
这个价位的机子本质看的其实是刀法，成本所限下，如何尽可能地保证更多的能力，以更好地满足消费者需求，从而赢得市场，这个是realme需要全面思考的问题。
在GT Neo一代主打轻薄设计和二代主打游戏体验之后，GT Neo3整体的选择更为中庸一些，不再追求单个点的过度突破，而是寻求整机更均衡实用的选择。
在GT Neo3上，我们很容易察觉到这种均衡的选择，比如在强大散热的同时，整机的厚度和重量控制出色，以均衡手感；作为电竞潮玩系列，主打游戏体验的同时，加上了imx766+ois的影像系统，以更好地满足用户日常需求；在加入了潮玩赛道设计之后，依然保留了经典的磨砂AG玻璃黑色；我追求极致的2K分辨率，而花大力气去控制下巴宽度，以带来更加的正面观感，等等。
我个人很喜欢这种均衡的艺术，手机的本身其实就是一个均衡的过程，一方面的极致必然会带来另一方面的妥协，便携性与大屏，性能与功耗，电池和厚度，游戏和影像等等。当所有的元素处于一个相对和谐的状态下的时候，这个选择，我觉得就是更合理的选择。
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